Amministrazione trasparente

Questa ricerca si propone di ottimizzare il processo di irraggiamento con protoni di bassa energia di tre classi di nanofili eterostrutturati: InAs/InP quantum dots-in-nanowires, GaAsN/GaAs core-shell nanowires, e InN nanowires. L’irraggiamento verrà effettuato sia su singoli nanofili depositati su Silicio, sia su ensembles. Gli effetti dell’irraggiamento (cambiamento della banda proibita, guadagno nell’efficienza di emissione, ed eventuale strain) verranno investigati con tecniche di spettroscopia ottica spazialmente risolte (Raman e micro-fotoluminescenza), sia a temperatura ambiente che a temperature criogeniche. La ricerca richiederà anche