Amministrazione trasparente

Ottimizzazione del processo alle microonde per la crescita di nanostrutture di alpha stagno su silicio e polisilicio, rispettoal controllo della dimensione delle nanoparticelle e del bandgap ottico. Caratterizzare il ruolo di ciascun parametro di processo di fabbricazione MW-CVD brevettato in Sapienza(U.S. Patent 11 718 909 B2, August 18, 2023) sulla morfologia delle nanostrutture di alpha stagno, su silicio e polisilicio• Formulare una relazione definitiva tra la dimensione delle nanosfere di alpha stagno e le manopole delprocesso, su silicio e polisilicio• Misurare la effettiva dipendenza del bandgap ottico dell’ alpha stagno, misurato tramite spettroscopia otticaall’infrarosso, dalla dimensione delle nanosfere, su silicio e polisilicio