Amministrazione trasparente

Realizzazione di sorgenti di singolo fotone e la loro integrazione in microcavità a cristalli fotonici (PhC) operanti a 1.31 e 1.55 μm per le telecomunicazioni. Pozzi quantici (InGa)(AsN)/GaAs saranno cresciuti tramite diverse tecniche epitassiali presso l’Università di Marburgo e Lancaster e caratterizzati mediante spettroscopia di fotoluminescenza a Roma e microscopia a trasmissione di elettroni all’Università di Cadice. I campioni saranno studiati prima e dopo trattamento con idrogeno da fare a Roma. Calcoli effettuati presso l’Istituto Tyndall di Cork guideranno il disegno delle strutture idrogenate per raggiungere l’energia di gap desiderata. Ciò consentirà quindi di (i) ottenere completa passivazione dell’azoto tramite idrogeno, (ii) fabbricare nanostrutture che emettono alle lunghezze d’onda desiderate. I particolari processi elettro-litografici impiegati permetteranno la realizzazione di nano- e micro-strutture controllate in sito, dimensione e forma. Uno sforzo sinergico tra i idiversi partner sarà mirato alla ingegnerizzazione del posizionamento di punti quantici in microcavità PhC per enfatizzare e sfruttare infine effetti elettrodinamici nello stato solido.