Verranno realizzate sorgenti di singolo fotone e circuiti ottici su chip, con l’obiettivo di sfruttare questi elementi per la generazione e la trasmissione dei fotoni in maniera temporalmente deterministica e sicura. La fabbricazione delle strutture si avvarrà delle proprietà dell’idrogeno di modificare la banda proibita e l’indice di rifrazione di eterostrutture semiconduttrici InGaAsN/GaAs. In particolare, i campioni verranno irraggiati con idrogeno in modo spazialmente selettivo sfruttando la litografia elettronica. Le proprietà ottiche delle nano- e micro-strutture così realizzate saranno studiate mediante spettroscopia di luminescenza e di auto-correlazione. Enfasi verrà data a sorgenti operanti a 1.31 micron per le telecomunicazioni su fibra ottica.
Bando 112/2019 - Realizzazione e caratterizzazione di strutture a punto quantico e circuiti ottici su semiconduttori
Data di aggiornamento: 17/10/2019 - 15:29
Tipologia bando:
Assegni di ricerca
Codice bando:
112/2019
SSD:
Bando:
Data pubblicazione:
Mer, 26/06/2019
Data scadenza:
Ven, 26/07/2019
decreto approvazione atti:
modulo domanda:
SPC:
2019-0070-1339-143510