Crescita e proprietà elettroniche di sistemi a bassa dimensione basati sul grafene

Data di aggiornamento: 04/04/2018 - 10:35
Tipologia bando: 
Assegni di ricerca
Codice bando: 
49

Lo scopo principale del ricercatore sarà la crescita e lo studio principalmente con fotoemissione risolta in angolo (ARPES) ed XPS, sia con sorgente di laboratorio sia presso laboratori di luce di sincrotrone (SR), di grafene preparato su metalli o di grafene confinato 1D tramite precursori molecolari.
Il progetto farà uso di diverse tecniche sperimentali, dalla ARPES alla XPS alla diffrazione con elettroni lenti, all'assorbimento di raggi X con SR (anche con radiazione polarizzata) e fotoemissione.
Il ricercatore dovrà far crescere il grafene su metalli e nastri tramite precursori molecolari, e potrà adsorbire o intercalare diversi sistemi atomici e molecolari, per modificare e studiare le proprietà del sistema.

Data pubblicazione: 
Mer, 25/03/2015
Data scadenza: 
Ven, 24/04/2015 (All day)
Struttura UGOV Autore: 
SPC: 
2015-0070-1339-020266
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