Amministrazione trasparente

Creazione controllata in posizione sulla scala del nanometro di regioni emettitrici di luce o schiere ordinate di LED tramite scrittura laser di diodi p-i-n di (InGa)(AsN) idrogenato. La diffusione dell’idrogeno indotta da laser per fabbricare LED nanometrici in nitruri diluiti non è stata mai riportata. Questa ricerca rappresenta un nuova concezione di interesse fondamentale e di importanza tecnologica. Le strutture p-i-n di (InGa)(AsN) saranno cresciute presso l’Università di Marburgo e Lancaster tramite diverse tecniche epitassiali, fabbricate all’Università di Sheffield e idrogenate a Roma. Gli esperimenti di scrittura laser verranno condotti all’Università di Nottingham in collaborazione con l’Università di Cadice per studi di microscopia elettronica a scansione e trasmissione. Lo sviluppo dei materiali sarà indirizzato a lunghezze d’onda chiave, cioè 1.31e 1.55 μm.