Creazione controllata in posizione sulla scala del nanometro di regioni emettitrici di luce o schiere ordinate di LED tramite scrittura laser di diodi p-i-n di (InGa)(AsN) idrogenato. La diffusione dell’idrogeno indotta da laser per fabbricare LED nanometrici in nitruri diluiti non è stata mai riportata. Questa ricerca rappresenta un nuova concezione di interesse fondamentale e di importanza tecnologica. Le strutture p-i-n di (InGa)(AsN) saranno cresciute presso l’Università di Marburgo e Lancaster tramite diverse tecniche epitassiali, fabbricate all’Università di Sheffield e idrogenate a Roma. Gli esperimenti di scrittura laser verranno condotti all’Università di Nottingham in collaborazione con l’Università di Cadice per studi di microscopia elettronica a scansione e trasmissione. Lo sviluppo dei materiali sarà indirizzato a lunghezze d’onda chiave, cioè 1.31e 1.55 μm.
Bando n. 66/2015 Scrittura laser di diodi emettitori di luce nanometrici basati su nitruri diluiti nell’ambito del progetto PROMIS finanziato da EU (Horizon 2020)
Data di aggiornamento: 04/04/2018 - 10:35
Tipologia bando:
Assegni di ricerca
Codice bando:
66
Data pubblicazione:
Dom, 27/04/2025
Data scadenza:
Dom, 27/04/2025 - 20:33
Allegati vari link:
0
SPC:
2015-0070-1339-020259